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標題: SIM卡托泄露苹果下代iPhone或不足8mm [打印本頁]

作者: ydpuskas 時間: 2012-5-4 04:57
標題: SIM卡托泄露苹果下代iPhone或不足8mm
苹果新一代iPhone绝对是最受关注的智能手机，关于该机的传闻也从来没有停止过，甚至连机身的一个小部件都会成为媒体报道的对象。今日，继下代iPhone的home按键被泄露出来后，外国媒体又放出了新iPhone的SIM卡卡托的信息，下面就让我们一起来了解一下。

本次零件谍照是由苹果零件厂商SWBOX放出的，从图片上我们可以看出所谓的iPhone 5的SIM卡托与目前iPhone 4S上所使用的卡托没有任何变化。虽然这一信息对该机配置方面的猜测没有什么帮助，但是SIM卡托的外形无变化也带代表着新一代iPhone侧边设计将不会进行太多改动，这也就意味着之前所传的下一代iPhone将采用弧度设计的说法几乎不成立。

虽然在机身侧面不会有太多改变，但是据外国媒体报道，新一代iPhone内部将会被重新设计，包括触控面板、电池和外壳等都将被改变，同时还可能采用内嵌式触控技术。如果传闻成真，那就意味着苹果新一代iPhone手机的厚度将会小于8mm，较之现售的iPhone 4S大约要薄15%左右。

苹果对旗下产品的保密措施向来十分严密，我们也只能从蛛丝马迹中对下一代iPhone进行一些猜测。据此前媒体报道，下代iPhone本计划在今夏发布，但由于所采用的高通LTE芯片MDM9615正面临产业链问题，所以下代iPhone不得不推迟到今年秋季才能正式亮相。

作者: nickwm 時間: 2012-5-6 02:47
其实我感觉太薄了也不好，至少手感打折扣。个人比较喜欢4的造型。

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